Sökresultat
Hoppa till navigering
Hoppa till sök
- ...i [[atomfysik]] och i [[fasta tillståndets fysik]] och där särskilt för [[halvledare]]. == Halvledare == ...3 kbyte (460 ord) - 7 oktober 2023 kl. 13.22
- ==Elektriska strömtätheten för halvledare== ''Elektriska strömtätheten'' definieras inom [[halvledare|halvledartekniken]] som ...3 kbyte (422 ord) - 24 juni 2022 kl. 07.51
- ...ektron]]er eller [[Hål (kvasipartikel)|hål]]) förmåga att propagera i en [[halvledare|halvledarkristall]]. De två vanligaste spridningsmekanismerna är kollisione ...r halvledarmaterial är att mobiliteten för elektroner är större. Därför är halvledare som nyttjar elektroner som laddningsbärare snabbare än de som nyttjar hål. ...2 kbyte (263 ord) - 17 september 2020 kl. 07.49
- ...ats ut till förmån för [[indium]]-[[antimon]] (InSb) och andra effektivare halvledare. [[Kategori:Halvledare]] ...2 kbyte (356 ord) - 26 maj 2020 kl. 06.30
- ...r var kommersiellt tillgängliga redan 1924, långt innan [[kisel]]-baserade halvledare blev dominerande. ...2 kbyte (285 ord) - 8 november 2023 kl. 18.06
- I [[halvledare]] spelar dislokationer i materialet en stor roll då de ger försämrad kvalit [[Kategori:Halvledare]] ...2 kbyte (313 ord) - 16 december 2023 kl. 17.43
- För en odopad [[halvledare]] minskar resistansen exponentiellt med temperaturen ...id ytterligare temperaturökning kommer beteendet att likna det för odopade halvledare då dopningsämnenas bidrag till det totala antalet fria laddningsbärare blir ...4 kbyte (521 ord) - 5 november 2024 kl. 10.45
- ...ökande temperatur (negativ [[temperaturkoefficient]]). Detta inträffar i [[halvledare]], där antalet [[ledningselektron]]er ökar med högre temperatur. Även i vat === Resistivitet i halvledare och isolatorer === ...7 kbyte (939 ord) - 13 november 2024 kl. 17.43
- Både silan och disilan används inom [[halvledare|halvledarindustrin]] för att applicera tunna skikt av kisel på ett [[Substr ...1 kbyte (205 ord) - 16 februari 2020 kl. 10.43
- ...nds som mellansteg vid produktion av extremt rent kisel för användning i [[halvledare]]. Dess [[kokpunkt]] gör att den lämplig för rening genom upprepad [[destil ...1 kbyte (194 ord) - 12 oktober 2022 kl. 06.36
- ...nska väl överens med experimentella resultat för de flesta metaller. För [[halvledare]] har konstanten typiskt ett mindre värde.<ref name="Toberer">Eric S. Tober ...2 kbyte (236 ord) - 11 oktober 2023 kl. 08.37
- ...(1,2 [[elektronvolt|eV]]) så används det som p-[[dopning (fysik)|dopat]] [[halvledare|halvledar]]material. ...2 kbyte (283 ord) - 21 november 2018 kl. 12.35
- ...är också ett mellansteg vid tillverkning av kemiskt ren bor för dopning av halvledare. ...2 kbyte (283 ord) - 30 januari 2023 kl. 14.16
- ...lan metall och isolator kallas [[halvledare]]. [[Germanium]] är exempel på halvledare. ...5 kbyte (671 ord) - 12 oktober 2024 kl. 15.56
- ...vid framställning av kemiskt ren bor för [[dopning (fysik)|dopning]] av [[halvledare]]. Den används också för rening av andra metaller genom att bortföra [[nitr ...2 kbyte (278 ord) - 11 december 2015 kl. 17.14
- Volframhexafluorid används huvudsakligen vid tillverkningen av [[halvledare]]. Ämnet skapar ett tunt lager av volfram ovanpå halvledarskivan genom att ...2 kbyte (347 ord) - 31 januari 2024 kl. 02.21
- Kvävetrifluorid används för [[Etsning (kemi)|etsning]] av [[halvledare]] och för rengöring av utrustning för tillverkning av halvledarkomponenter, ...3 kbyte (364 ord) - 21 juli 2018 kl. 17.16
- ...heten "per grad". Även olinjära kofficienter är förekommande, särskilt för halvledare. ...2 kbyte (351 ord) - 30 december 2024 kl. 13.12
- Arsin används huvudsakligen för att tillverka [[galliumarsenid]] till [[halvledare]] och för [[Dopning (fysik)|n-dopning]] av [[kisel]] och [[germanium]]. ...3 kbyte (375 ord) - 30 maj 2022 kl. 21.12
- ...troniska kretsar behöver vanligen likström då [[transistor]]er och andra [[halvledare]] bara leder ström i en riktning. ...4 kbyte (592 ord) - 3 mars 2025 kl. 15.30